图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:500 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | - 1.5 A |
| 系列 | FDN308P |
| 封装/外壳 | SOT-3 |
| RDS（ON） | 136 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 0.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导 - 闵 | 12 S |
| 栅极电荷Qg | 3.8 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 上升时间 | 10 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 1 V |
| 宽度 | 1.4 mm |
| Qg - Gate Charge | 3.8 nC |
| 封装 | Reel |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 1.5 A |
| 长度 | 2.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 136 mOhms |
| 身高 | 1.12 mm |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| 技术 | Si |
FDN308P_F154相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
